2026-10-22 拓墣產業研究院

3種Bumpless Bonding技術比較

圖表資料先進封測與設備材料

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摘要

受惠於台積電SoIC-X封裝在AI晶片中的滲透率提升，Hybrid Bonder在先進Foundry廠的訂單量提升；然Hybrid Bonding成本高昂，且對無塵室潔淨度要求極高，因此K&S也於2025年6月提出Cu-Cu TCB的論文，美國MIT Lincoln Laboratory則在2026年5月發表Bumpless Flip-Chip的論文，尋找比Hybrid Bonding更低成本的Bumpless Bonding技術。

本篇報告主要深度解析：(1) Die Bonder技術演進；(2)不同Bumpless Bonding技術比較；(3) Fluxless TCB、Bumpless Bonding市場展望。期能解析從Micro Bump演進到Bumpless的不同Die Bonder技術路線、不同Bumpless Bonding技術原理與效能，以及主要Die Bonder廠商布局。

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